太阳电池的是一对光能响应并能将光能转换成电力的器件,能产生光伏效应的材料有许多种,如()非晶硅等。 A.单晶硅B.多晶硅C.氧化镓D.硒铟铜
常用的浪涌抑制器件包括()。 A、气体放电管B、硅雪崩二极管C、金属氧化物压敏电阻D、以上全对
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅
硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。A、钠B、钾C、氢D、硼
AMD Thunderbird CPU的制造工艺是（）。A、0.25μmB、0.18μmC、0.14μmD、0.35μm
晶闸管（可控硅）是一种大功率的（）器件。A、绝缘体B、半导体C、全导体D、以上全非
硅的氧化是炼钢的重要反应之一，硅氧化为放热反应，因此，（）有利于硅的氧化。
开关量输出模块在可控硅输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件A、继电器B、三极管C、模拟开关D、固态继电器
微电子技术和传统的电子技术的差别在于（）。A、电子设备和系统的体积微小型化B、电子设备的设计、工艺、封装等的巨大变革C、传统的元器件集成在一块硅芯片D、信息存贮能力更强
制造工艺是指在硅材料上生产CPU时其内部各元器件连接线的宽度，宽度越低表示CPU的制造工艺越高。
以纳米技术制造的电子器件，其性能大大优于传统的电子器件：1、工作速度快，纳米电子器件的工作速度是硅器件的（）倍；2、功耗低，纳米电子器件的功耗仅为硅器件的1/1000；3、信息存储量大，在一张不足巴掌大的5英寸光盘上，至少可以存储30个北京图书馆的全部藏书；4、体积小、重量轻，可使各类电子产品体积和重量大为减小。A、1000B、10000C、3D、30
合路器和POI各端口间隔离度主要决定因素有：（）A、器件体积B、器件原材料选用C、器件插入损耗D、器件工艺
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
太阳电池的是一对光能响应并能将光能转换成电力的器件，能产生光伏效应的材料有许多种，如（）非晶硅等。A、单晶硅B、多晶硅C、氧化镓D、硒铟铜
判断题制造工艺是指在硅材料上生产CPU时其内部各元器件连接线的宽度，宽度越低表示CPU的制造工艺越高。A对B错
多选题微电子技术和传统的电子技术的差别在于（）。A电子设备和系统的体积微小型化B电子设备的设计、工艺、封装等的巨大变革C传统的元器件集成在一块硅芯片D信息存贮能力更强
判断题旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。A对B错
填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
判断题用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。A对B错
多选题太阳电池的是一对光能响应并能将光能转换成电力的器件，能产生光伏效应的材料有许多种，如（）非晶硅等。A单晶硅B多晶硅C氧化镓D硒铟铜
填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
问答题简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。