获得较大近场区的方法是A、使用高频探头B、使用低频探头C、增大阻尼D、改变阻尼E、改变探头直径
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
通过什么方法可以得到较大的近场区（）。A、使用高频探头B、减小阻尼C、减小探头直径D、增大阻尼
扩大近场区范围需增加：①频率②波长③探头直径④带宽（）A、②B、②④C、③D、①③
当波源直径一定，探头频率增加时，其近场区长度（）。A、 增加B、 减少C、 不变D、 与频率无关
晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（）A、频率越低B、频率越高C、无明显影响
超声波探头所选用压电晶片的频率与晶片厚度有密切关系，频率越高，晶片越薄。
斜探头楔块底面磨损时，探头的（）参数会变化。A、频率和芯片厚度B、入射角和入射点C、芯片厚度和发射脉冲D、试样中的波长芯片直径
直探头的近场区成为不可探测区，需用双芯片直探头进行探测。
在超声波探伤中，探头芯片厚度与探头频率有关，芯片越厚，频率（）。A、越高B、越低C、变化不大
芯片直径相同的超声波探头，频率高的其声束扩散角（）．
芯片厚度和探头频率是有关的，当芯片越厚时，其频率（）。
同直径探头中，压电芯片的厚度越薄扩散角越（），频率越（）扩散角越大。
探头的近场长度主要取决于（）。A、芯片厚度B、探头外形尺寸C、芯片直径和频率D、探头的种类
填空题同直径探头中，压电芯片的厚度越薄扩散角越（），频率越（）扩散角越大。
单选题探头的近场长度主要取决于（）。A芯片厚度B探头外形尺寸C芯片直径和频率D探头的种类
判断题直探头的近场区成为不可探测区，需用双芯片直探头进行探测。A对B错
单选题在超声波探伤中，探头芯片厚度与探头频率有关，芯片越厚，频率（）。A越高B越低C变化不大
单选题斜探头楔块底面磨损时，探头的（）参数会变化。A频率和芯片厚度B入射角和入射点C芯片厚度和发射脉冲D试样中的波长芯片直径
填空题芯片厚度和探头频率是有关的，当芯片越厚时，其频率（）。
填空题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则频率（）
单选题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（）A频率越低B频率越高C无明显影响
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错