判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关A对B错

判断题
在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关
A

B


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在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度有关

磁粉探伤操作时磁化是首先根据缺陷特性与试件形状选定磁化方法,在根据磁化方法,磁粉,试件的材质、形状、尺寸等确定磁化电流值,使试件表面有效磁场的磁通密度达到试件材料饱和磁通密度的()。A、100%B、80%~90%C、65%~80%D、30%~50%

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A、它与试件上的磁通密度有关B、它与缺陷的高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关

下列有关漏磁通的叙述正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

磁粉探伤中,工件中缺陷与漏磁场方向垂直时漏磁场强度最大。

磁粉探伤为了检出工件表面的微小缺陷,最好选用粒度()的磁粉。

磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

()操作时磁化是首先根据缺陷特性与试件形状选定磁化方法,在根据磁化方法,磁粉,试件的材质、形状、尺寸等确定磁化电流值,使试件表面有效磁场的磁通密度达到试件材料饱和磁通密度的80%~90%。A、渗透检测B、频谱检测C、磁粉探伤D、超声波检测

填空题磁粉探伤时缺陷处产生的漏磁通与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关。

单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A它与试件上的磁通密度有关B它与缺陷的高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

填空题磁粉探伤为了检出工件表面的微小缺陷,最好选用粒度()的磁粉。

填空题磁粉探伤时,缺陷处产生的漏磁通与通过工件()有关,与缺陷的()和()有关。

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向有关A对B错

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关A对B错

判断题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关A对B错

填空题在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关;与缺陷的()和()有关

判断题试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大A对B错

单选题下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

填空题试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大