多选题在酸性氯化铜蚀刻过程出现抗蚀剂破坏的原因可能有()。A溶液温度过高B溶液被污染C显影有余胶D传递速度过快

多选题
在酸性氯化铜蚀刻过程出现抗蚀剂破坏的原因可能有()。
A

溶液温度过高

B

溶液被污染

C

显影有余胶

D

传递速度过快


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相关考题:

石硫合剂、波尔多液、氧氯化铜等都是酸性杀虫剂。

填空题()是由侧面蚀刻而产生的,它发生在抗蚀层图形的下面。

问答题在用酸碱性氯化铜蚀刻若形成氯化亚铜沉淀,有何不利因素。

多选题广义而言,所谓的蚀刻技术可以分为()。A干蚀刻B湿蚀刻C中性蚀刻D无侧蚀蚀刻

判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A对B错

单选题蚀刻溶液中的氧化剂为()。A氯化铜B氯化钠C氯化铵D氯化氢

判断题在蚀刻过程中,添加某些添加剂可以降低侧蚀程度。A对B错

判断题所有金属抗蚀层都可适用碱性蚀刻液,大部分金属不可用酸性蚀刻液,金除外。A对B错

判断题碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时,蚀刻速率慢,溶液稳定性差。A对B错

单选题碱性氯化铜蚀刻液一定可用于下列何种抗蚀层()。A锡B干膜C油墨D都不是

判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定,容易控制。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻过度的原因可能有()。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足

多选题酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高,会使()。A盐酸挥发B抗蚀层破坏C溶液组分比例失调D无影响

判断题酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。A对B错

单选题酸性氯化铜蚀刻中,可通过增加哪种离子的含量来减少氯化亚铜沉淀的生成()。A二价铜离子B一价铜离子C氯离子D钠离子

多选题酸性氯化铜蚀刻体系中常用的氯化物的种类为()。A氯化钠B氯化氢C氯化钙D氯化镁

问答题在印制电路板的蚀刻过程中为何要减少侧蚀。如何减少侧蚀。

多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有()。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易

判断题碱性氯化铜蚀刻液pH值过低,氮水浓度太低,蚀刻速率变慢。A对B错

判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻不足的原因可能有()。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足

判断题碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。A对B错

单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低,会加大侧蚀量,这是因为()。A蚀刻液的密度太低,造成温度过低,反应速度过慢B蚀刻液的密度太低,溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低,即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低,溶液中的氯化铵含量太少

填空题侧蚀严重时会造成电路()。当铜箔厚度相同时,可用侧蚀宽度来比较侧蚀的大小,衡量蚀刻质量的优劣,侧蚀宽度(),蚀刻质量越差。

判断题在酸碱性氯化铜蚀刻液中都是含铜量越多越好。A对B错

单选题不适宜在碱性氯化铜蚀刻液中蚀刻的抗蚀层是()。A金B锡铅合金C油墨D镍

多选题在酸性氯化铜蚀刻液体系的再生方法中,由于氯气是强氧化剂,直接通氯气是再生的最好方法。是因为()。A成本低B再生速率快C无污染D设备简单