单选题一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息A16B32C64D128
单选题
一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息
A
16
B
32
C
64
D
128
参考解析
解析：
暂无解析
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下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?
μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息
PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。A、128B、256C、1024D、16384
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
单选题某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。A128B256C1024D16384