单选题下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）A快页模式DRAMB音频RAMC扩展数据输出DRAMD同步DRAM
单选题
下面哪个不是对传统的DRAM单元进行了优化，改进了访问基本DRAM单元的速度？（）
A
快页模式DRAM
B
音频RAM
C
扩展数据输出DRAM
D
同步DRAM
参考解析
解析：
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下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
为了提高DRAM的读写速度，通常采用一些特殊的技术开发多种不同类型的DRAM。下面四种DRAM中速度最快的是A．EDO DRAMB．FPMDRAMC．PR100 SDRAMD．PC133 SDRAM
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高Ⅱ．SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。Ⅰ DRAM比SRAM集成度高Ⅱ DRAM比SRAM成本高Ⅲ DRAM比SRAM速度快Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中错误的叙述是______。A) Ⅰ和ⅡB) Ⅱ和ⅢC) Ⅲ和ⅣD) Ⅰ和ⅣA．B．C．D．
PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
单选题由于对DRAM的访问模式进行了一些修改，EDODRAM（）内存有效访问时间。A缩短B延长