DRAM上电时存储单元的内容是全0，而Flash上电时存储单元的内容是全1。（）
DRAM上电时存储单元的内容是全0，而Flash上电时存储单元的内容是全1。（）
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若函数调用时的实参为变量时，以下关于函数形参和实参的叙述中正确的是A ) 函数的实参和其对应的形参共占同一存储单元B ) 形参只是形式上的存在，不占用具体存储单元C ) 同名的实参和形参占同一存储单元D ) 函数的形参和实参分别占用不同的存储单元
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
若有如下图所示5个连续的int类型的存储单元并赋值，a[0]的地址小于a[4]的地址。 p和s为int型的指针变量。请对以下问题填空。①若p已指向存储单元a[1]。通过指针p给s赋值，使s指向最后一个存储单元a[4]的语句是【 】。②若指针s指向存储单元a[2]，p指向存储单元a[0]，表达式s-p的值是【 】。
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个
如果一个存储单元存放一个字节，那么一个64KB的存储单元共有()个存储单元，用十六进制的地址码则编号为0000～()。A.64000B.65536C.10000HD.0FFFFHE.0FFFE
PLC编程元件的使用主要体现在程序中。一般可以认为编程元件与继电接触器元件类似，具有线圈和常开常闭触点。而且触点的状态随着线圈的状态而变化，即当线圈被选中（得电）时，（）触点闭合，（）触点断开，当线圈失去选中条件（断电）时，（）触点闭合，（）触点断开。和继电接触器器件不同的是，作为计算机的存储单元，从实质上说，某个元件被选中，只是代表这个元件的存储单元置（），失去选中条件只是代表这个元件的存储单元置（）。由于元件只不过是存储单元，可以无限次地访问，PLC的编程元件可以有（）个触点。
填空题PLC编程元件的使用主要体现在程序中。一般可以认为编程元件与继电接触器元件类似，具有线圈和常开常闭触点。而且触点的状态随着线圈的状态而变化，即当线圈被选中（得电）时，（）触点闭合，常闭触点断开，当线圈失去选中条件（断电）时，（）触点闭合，常开触点断开。和继电接触器器件不同的是，作为计算机的存储单元，从实质上说，某个元件被选中，只是代表这个元件的存储单元置（），失去选中条件只是代表这个元件的存储单元置0。由于元件只不过是存储单元，可以无限次地访问，PLC的编程元件可以有（）个触点。
填空题PLC编程元件和继电接触器器件不同的是，作为计算机的存储单元，从实质上说，某个元件被选中，只是代表这个元件的存储单元置（），失去选中条件只是代表这个元件的存储单元置（）。由于元件只不过是存储单元，可以无限次地访问，PLC的编程元件可以有（）个触点。
单选题若函数调用时的实参为变量时，以下关于函数形参和实参的叙述中正确的是（ ）。A函数的形参和实参分别占用不同的存储单元B形参只是形式上的存在，不占用具体存储单元C同名的实参和形参占同一存储单元D函数的实参和其对应的形参共占同一存储单元