一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息A、16B、32C、64D、128
一个DRAM芯片的超单元被组织成一个4行4列的阵列，每个超单元都由8个DRAM单元组成，那么这个DRAM总共存储了（）位信息
- A、16
- B、32
- C、64
- D、128
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在报表系统中,下列有关区域的说法正确的是() A.区域是由多个单元组成的一个长方形单元阵列B.最小的区域是一个单元，最大的区域可以包括整张报表的所有单元C.区域的范围是从起点单元到终点单元D.区域是二维的
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个
以下关于货币单元抽样的说法中，正确的有（ ）。A.货币单元即是逻辑单元B.货币单元为抽样单元C.每个货币单元被选中的机会相等D.货币单元起到一个类似钩子的作用，从而带出与之相关联的一个逻辑单元
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新
单选题一个PV8单元下带一个RSP单元，两个单元的收敛比都为1：1，请回答PV8单元的用户板组数；RSP单元的用户板组数；PV8单元每个用户板组包含的HW的数量；RSP单元每个用户板组包含的HW的数量。请在以下答案中按顺序选择（）。A8，4，1，2B4，4，2，2C8，8，1，1D4，8，2，1
填空题对一个存储器芯片进行片选译码时，有一个高位系统地址信号没有参加译码，则该芯片的每个存储单元占有（）个存储器地址。