利用半导体的自发辐射而制成的发光器件是()。A、半导体激光器B、发光二极管C、PIN光电二极管D、雪崩光电二极管

利用半导体的自发辐射而制成的发光器件是()。

  • A、半导体激光器
  • B、发光二极管
  • C、PIN光电二极管
  • D、雪崩光电二极管

相关考题:

霍尔元件是利用霍尔效应制成的半导体磁电转换器件。() 此题为判断题(对,错)。

半导体发光二极管的发光是由()产生的。 A.自发辐射B.受激辐射C.受激吸收

半导体激光器的发光是由()产生的。 A.自发辐射B.受激辐射C.受激吸收

霍尔器件是一种采用半导体材料制成的()器件。 A、磁电转换B、光电转换C、压电转换D、温度转换

下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。

132)半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性,利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。( )

发光二极管(LED)是相干光源,是无阈值器件,它的基本工作原理是自发辐射。()

半导体发光二极管的工作原理是()。A、自发辐射B、自发吸收C、受激辐射D、受激吸收

半导体激光器的发光是由()产生的。A、自发辐射B、受激辐射C、受激吸收

利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。

整流电路主要是利用()实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性

LED是半导体PN结发光器件,试述其发光机理。

()是利用汞蒸气放电、发光而制成的光源的总称。

汞灯是利用汞蒸气放电、发光而制成的光源的总称。

LED灯是具有一个电极的半导体发光器件(发光二极管)的照明器具。

有光电管、光电倍增管是利用()制成的元件;光敏电阻是利用()而制成的器件。

压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。

发光二极管和光敏电阻是利用半导体的光敏特性制成的。

LED是指()A、半导体激光器B、导体激光器C、发光二极管D、发光器件

()是通过受激辐射产生光的器件。A、发光激光器B、半导体激光器C、半导体二极管D、发光二极管

半导体发光二极管的发光是由()产生的。A、自发辐射B、受激辐射C、受激吸收

问答题什么是半导体发光器件?

问答题半导体光电器件是利用什么效应制作的器件?

问答题LED是通过自发辐射过程发光的器件,与通过受激辐射发光的半导体激光器相比,其优缺点是什么?

填空题有光电管、光电倍增管是利用()制成的元件;光敏电阻是利用()而制成的器件。

问答题半导体发光器件的基本原理是什么?

问答题半导体发光器件主要包括哪两种?