霍尔元件是利用霍尔效应制成的半导体磁电转换器件。() 此题为判断题(对，错)。
半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
霍尔器件是一种采用半导体材料制成的()器件。 A、磁电转换B、光电转换C、压电转换D、温度转换
电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关，( )或( )初级电流，因而又称为半导体点火或晶体管点火。
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
某发明专利申请的权利要求1如下：“权利要求1：一种半导体器件，包括部件a、b、c。”下列哪些权利要求的撰写存在缺陷？（）A、权利要求2：如权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于dB、权利要求2：制造如权利要求1所述的半导体器件的方法，其特征在于eC、权利要求2：如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述部件f由铜制成D、权利要求2：如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包括部件g
（）是使用像硅材料那样的半导体制成的固态元器件，内部没有可移动的部件。
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
具有自关断能力的电力半导体器件称为（）。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件
利用半导体的自发辐射而制成的发光器件是（）。A、半导体激光器B、发光二极管C、PIN光电二极管D、雪崩光电二极管
太阳能电池是利用半导体（）的半导体器件。A、光热效应B、热电效应C、光伏效应D、热斑效应
光电传感器中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。A、光敏性B、导通性C、热敏性D、力敏性
太阳电池是利用半导体（）的半导体器件。A、光热效应B、热电效应C、光生伏特效应D、热斑效应
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体器件。
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
半导体二级管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本性质是双向导电性。
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。