判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。A对B错
判断题
对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。
A
对
B
错
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解析：
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相关考题：
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A、木踢脚板以木基层为衬底B、聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C、氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D、石材踢脚板以水泥类基层为衬底E、玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
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多选题各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A木踢脚板以木基层为衬底B聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D石材踢脚板以水泥类基层为衬底E玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。