下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
影响离子电导率的主要因素有（）、（）、（）、（）。
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
问答题什么是掺杂？为什么掺杂后的共轭高聚物的电导率可大幅度提高？
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？