在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
压阻式压力传感器是利用半导体材料的（）和集成电路工艺制成的传感器。
有关半导体剂量仪的叙述，不正确的是（）A、当电离辐射照射半导体探测器时，产生的载流子在电场作用下形成脉冲信号B、根据掺杂情况不同，有N型半导体探测器和P型半导体探测器C、相同体积的半导体探测器，要比空气电离室的灵敏度低，这是在放射治疗中普遍使用电离室的原因D、高原辐射会使半导体探测器晶格发生畸变，导致探头受损，灵敏度下降E、环境温度会影响半导体探测器的灵敏度
怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。
半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A、压阻效应；B、应变效应；C、霍耳效应；D、光电效应
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关
判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A对B错
单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A非本征B本征
单选题半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A弹性模量B热电效应C压电效应D压阻效应
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
单选题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。A本征半导体B金属C化合物半导体D掺杂半导体
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A 温度越高，掺杂越快B 温度越低，掺杂越快C 温度恒定，掺杂最快D 掺杂快慢与温度无关
单选题对于半导体材料，若（），导电能力减弱。A环境温度降低B掺杂金属元素C增大环境光照强度D掺杂非金属元素