单选题探头的近场长度由下式决定(式中λ波长,f频率,D晶片直径)()。AN=1.22λ/DBN=D/4λCN=D2/4λDN=2/D

单选题
探头的近场长度由下式决定(式中λ波长,f频率,D晶片直径)()。
A

N=1.22λ/D

B

N=D/4λ

C

N=D2/4λ

D

N=2/D


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片

探头的近场长度求解公式是()。(λ:波长;f:频率;D://晶片直径,A:晶片半径)。

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

扩大近场区范围需增加:①频率②波长③探头直径④带宽()A、②B、②④C、③D、①③

同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的()。它随频率的增加、晶片直径的减小而()。

超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比。

当晶片直径D远大于波长时,近场长度N=()。

探头的近场长度由式N=a2/λ决定。(式中λ波长,a晶片半径)。

波长越短,近场长度越短,晶片直径越大,近场长度也越长。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。

超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片

探头的近场长度由下式决定(式中λ波长,f频率,D晶片直径)()。A、N=1.22λ/DB、N=D/4λC、N=D2/4λD、N=2/D

说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。

在超声波探伤中,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径()的探头。

超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。

问答题说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

判断题同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A对B错

单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A频率增加、晶片直径减小而减小B频率或直径减小而增大C频率或直径减小而增大D频率增加、晶片直径减小而增大

判断题超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。A对B错

单选题超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A低频率B较小晶片C低频率和较小晶片D较大晶片

填空题在超声波探伤中,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径()的探头。

判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A对B错