硅的直接氧化反应式为：()和[Si]+2[O]=(SiO2)。
高炉内直接还原温度开始在（）A、800—1000℃B、高于1100℃C、高于570℃D、高于1500℃
促进硅还原的措施有（）。A、提高炉渣碱度B、增加炉渣中SiO2的数量C、提高高炉下部温度D、降低高炉下部温度
炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。A、［Si］＋2[0]=（SiO2）B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］
碳、硅、锰三种化学元素的脱氧能力是按（）顺序逐步增强。A、[C]、[Si]、[Mn]B、[C]、[Mn]、[Si]C、[Mn]、[Si]、[C]D、[Si]、[Mn]、[C]
高炉内直接还原的开始温度在（）。A、高于570℃B、800～1000℃C、高于1100℃D、高于1500℃
根据高炉解剖研究和高炉生产取样测定，都表明硅是在炉腰或炉腹上部才开始还原的。
高炉内氧化物在逐级还原的过程中（）是最关键的。A、FeB、FeOC、Fe3O4D、Fe2O3
高炉内铁氧化物的还原是由高级向低级氧化物逐级还原的。
硅铁的含量越高，SiO2开始还原（）亦越高，亦即还原越困难。
随着钢液中硅含量的增加，脱氧产物将按下列顺序而变化：FeO+2FeO·SiO2→FeO·SiO2—FeO·SiO2→SiO2（s）。
促进硅还原的措施有；答案（）A、提高炉渣碱度B、增加炉渣中SiO2数量C、提高高炉下部温度D、降低高炉下部温度
根据高炉内硅还原的机理，降低生铁含硅的途径是：首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度；其次降低风口前燃烧温度，直接减少SiO的发生量；三是应减少入炉的SiO2量，降低炉渣中SiO2的活度。
铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。
硅的还原从滴落带开始，还原的途径有三种：渣铁反应、渣焦反应、气相SiO2还原，其中（）是硅还原的主要途径。A、 渣铁反应B、 渣焦反应C、 气相SiO2还原
硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降。
关于高炉内Si的还原叙述正错误的是（）A、Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行B、提高炉温有利于Si的还原C、提高炉渣碱度有利于Si的还原D、高压操作利于冶炼低硅生铁
1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si，到达风口时[Si]含量达到最大值。
硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→逐级进行的。
高炉每批料理论出铁量25t，炉温[Si]0.30%，求SiO2消耗量？
从Si的还原机理来看，高炉风口水平面以上是降Si过程。