炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。A、［Si］＋2[0]=（SiO2）B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］

炼钢过程中，硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为（）。

  • A、［Si］＋2[0]=（SiO2）
  • B、［Si］＋｛O2｝＝（SiO2）
  • C、［Si］＋2（FeO）＝（SiO2）＋2［Fe］

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测定Si含量，称量形式是SiO2，其换算系数是多少?
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炼钢中，Si+O2=SiO2是吸热反应。此题为判断题(对，错)。
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硅的直接氧化反应式为：()和[Si]+2[O]=(SiO2)。
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转炉炼钢中，硅的直接氧化反应方程式是：2(FeO)+[Si]=2[Fe]+(SiO2)。此题为判断题(对，错)。
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全天生产75%硅铁50吨，消耗95吨硅石（SiO2=98%），硅微粉回收量10吨、SiO2=95%，炉渣量为铁量的3%，炉渣中SiO2＝30%，计算Si的回收率。
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炼钢中，Si+O2＝SiO2是吸热反应。
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热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些？
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SiO2还原Si的开始温度为（）A、1200～1400℃B、1600～1700℃C、1800～1900℃D、1400～1600℃
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炼钢中[Si]+[O2]=（SiO2）是吸热反应。
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炉渣中重要的酸性氧化物SiO2，根据其O/Si值不同可以形成多种复杂的硅氧负离子，如SiO52-、Si4O116-等，磷和硅一样由于O/P值的不同形成磷氧负离子。
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正确表达石灰加入量的表达式为（）。A、2.14[%SiO2]/%CaO有效）×R×1000B、2.14[%Si]/（%CaO石灰-R%SiO2石灰）]×R×1000C、2.14[%Si]/%CaO）×R×1000
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随着钢液中硅含量的增加，脱氧产物将按下列顺序而变化：FeO+2FeO·SiO2→FeO·SiO2—FeO·SiO2→SiO2（s）。
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炼钢中[Si]+2[O]＝(SiO2)是吸热反应。
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按照正常的吹炼过程，以下化合物的变化顺序正确的是：（）。A、CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2→2FeO·SiO2B、2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2C、2CaO·SiO2→2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2
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渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式，将[Si]氧化成（SiO2）。
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铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。
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硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比；而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压，都会使[Si]%下降。
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1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si，到达风口时[Si]含量达到最大值。
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硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。
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生铁中的五大元素是指（）。A、Fe、FeO、S、C、SiB、C、Si、Mn、S、PC、SiO2、Fe、S、P、C
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硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→Si逐级进行的。
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C和Si都是ⅣA族元素，所以CO2和SiO2都是分子晶体。（　）
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填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
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单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
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问答题在实际的SiO2–Si系统中，存在几种电荷？
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填空题在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。
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问答题网络外体（如Na2O）加到SiO2熔体中，使氧硅比增加，当O/Si≈2.5～3时，即达到形成玻璃的极限，O/Si3时，则不能形成玻璃，为什么？
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