高炉内直接还原温度开始在()。A.800～1000℃B.高于1100℃C.高于570℃
高炉内直接还原温度开始在( )。A.570℃B.800～1000℃C.高于1100℃D.260℃
高炉内温度高于1000℃时，( )反应明显加速，故常把1000℃等温线作为高炉直接还原和间接还原区域的分界线。
高炉内按温度区间和还原主要反应划分，（）为直接还原区。
高炉内炉身下部直接还原温度开始在（）。A、570℃B、800—1000℃C、高于1100℃
高炉内低于（）是间接还原区，（）是共存区，高于（）是直接还原区。
高炉内锰的还原只能通过（）。A、间接还原B、直接还原C、两者都有
高炉内还原过程（）温度范围是间接还原与直接还原的共存区。A、570～800℃B、800～900℃C、800～1100℃D、1100℃
高炉直接还原的开始温度为（）。A、＞570℃B、800～1100℃C、＞1100℃D、﹤570℃
一般来说，在高炉内高价铁氧化物还原到FeO完全是通过（）完成的。A、间接氧化B、直接氧化C、间接还原D、直接还原
高炉内低于800℃区域是哪种还原为主（）A、直接还原B、间接还原C、二种还原均在
高炉内按温度区间和还原主要反应划分，（）为间接还原区。
根据温度不同，高炉内还原过程划分为三个区，低于（）℃的块状带是间接还原区；（）℃的是间接还原与直接还原共存区；高于（）℃的是直接还原区。
高炉内的直接还原度与高炉内铁的直接还原度有何区别？
关于高炉内Si的还原叙述正错误的是（）A、Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行B、提高炉温有利于Si的还原C、提高炉渣碱度有利于Si的还原D、高压操作利于冶炼低硅生铁
高炉内MnO的还原必须是（）。A、直接B、间接C、直接+间接
高炉内温度高于1000℃时，碳素溶损反应加速，故将此温度，定为直接还原与间接还原的分界线。
高炉内的直接还原度和铁的直接还原度实际就是一个意思。
高炉内直接还原温度开始在（）。A、800～1000℃B、高于1100℃C、高于570℃
高炉内直接还原温度开始在（）A、低于570℃B、高于570℃C、800-1100℃D、高于1100℃
根据炉内温度不同，高炉内还原过程划分为三个区：低于（）的块状带是直接还原区；（）是间接还原区和直接还原区；高于（）的是间接还原区。