斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。

斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。


相关考题:

关于声场的特性,下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区

关于声场的特性,下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比B.近场区横向分辨率低于远场区C.近场区声束呈喇叭形D.近场区横断面上能量分布基本均匀E.远场区声束直径小于近场区

纵波声场存在近场区,横波声场不存在近场区。

其它条件相同时,钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。

在超声场中,()声压随距离增加单调减少。A、 近场区B、 远场区C、 盲区D、 未扩散区

超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系()。A、 近场区长度与波源面积及波长成正比B、 近场区长度与波源面积及波长成反比C、 近场区长度与波源面积成正比,与波长成反比D、 近场区长度与频率成正比,与波源面积成反比

固体介质中的脉冲波声场的近场区,其声压极值点数量较理想声场(),且极大极小值幅度差异()。

横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

什么是超声场的近场区和近场区长度?为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量?

超声场可分为近场区和远场区,波源轴线上最后一个声压极大值的位置至波源的距离称为超声场的近场区长度。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

固体介质中脉冲波声场的近场区其声压极值点数量较理想声场(),且极大极小值幅度()。

直探头近场区在两种介质中的分布用N表示:()。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而缩短。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而()。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。

简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A、扩散B、增大C、不变D、减小

判断题纵波声场存在近场区,横波声场不存在近场区。A对B错

问答题简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()AK值增大时,近场区长度不变BK值增大时,近场区长度增大CK值增大时,近场区长度减小DK值与近场区长度无关

判断题横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。A对B错

问答题什么是超声场的近场区和近场区长度?为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量?

判断题其它条件相同时,钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。A对B错