上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
某技术员在堆筑瓷粉后，使其凝集过程中，由于振动强度过大，会导致A、瓷粉在加热过程中收缩过大B、金瓷冠在烧结完成后形态不佳C、金瓷冠烧结后出现了裂纹D、破坏了瓷粉层次烧结后色泽不清E、金瓷冠烧结后出现气泡
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
按烧结矿的碱度分，烧结矿碱度1.3，称为（）。A、高碱度烧结矿B、酸性烧结矿C、自熔性烧结矿
瓷质砖的烧结温度高，瓷化程度好，吸水率小于（）。A、0．5%B、1．0%C、1．5%D、2．0%
瓷质制品烧结程度高，结构致密，强度高，坚硬耐磨，吸水率小（＜1%），呈现半透明性，通常施有釉层。
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
在烧结过程中，烧结温度愈高，矿粉粒度愈细，CaO的矿化程度愈高。
超固相液相烧结的烧结致密化机理与传统的稳定液相烧结完全相同。
烧结过程的标志是坯体的强度增加、（）、表面积减小，而不是指烧结体发生致密化或者收缩。
试述烧结初期，晶粒长大能促进坯体致密化么？晶粒长大能影响烧结速率么？
判断题超固相液相烧结的烧结致密化机理与传统的稳定液相烧结完全相同。A对B错
单选题堆瓷时排水的目的下列哪项是错误的？（ ）A提高瓷的烧结强度B减少瓷烧结时的体积收缩C排除杂质D增加各瓷层之间的致密度E排除气泡
单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（ ）。A高20～30℃B高10～20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10～20℃
判断题瓷质制品烧结程度高，结构致密，强度高，坚硬耐磨，吸水率小（＜1%），呈现半透明性，通常施有釉层。A对B错
填空题烧结过程的标志是坯体的强度增加、（）、表面积减小，而不是指烧结体发生致密化或者收缩。
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
判断题烧结过程中，如果晶界移动速率等于气孔扩散速率，可达到烧结体致密化。（）A对B错
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6～8℃C低于体瓷烧结温度10～20°CD高于体瓷烧结温度6～8℃E高于体瓷烧结温度10～20℃