5、热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）

5、热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）

参考答案和解析
m<1 ，杂质在 SiO 2 中是快扩散

相关考题：

在钢材组成的化学元素中,均为有害杂质的选项是()。A、S,PB、Si，SC、Mn,ND、Si，P
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在自然界中分布较广泛，在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为（ ）A.特殊杂质B.一般杂质C.基本杂质D.有关杂质E.有关物质
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晶间腐蚀是由晶界的杂质,或晶界区某一合金元素增多或减少而引起的。() 此题为判断题(对，错)。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对，错)。
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润滑油闪点降低的原因是(): A、漏进淡水B、漏入燃油C、受热氧化D、混入杂质
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杂质限量指A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
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特殊杂质A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
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在自然界中分布较广泛,在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质称为 A、特殊杂质B、一般杂质C、基本杂质D、有害杂质E、有关物质
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药物纯度指A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
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在个别药物生产和储存过程中引入的杂质是指A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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自然界中存在较广泛在多种药物的生产和储藏过程中容易引入的杂质是指A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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制剂的杂质检查主要是检查A.制剂中的一般杂质B.制剂中的特殊杂质C.在制剂的制备过程中产生的特殊杂质D.在制剂的贮藏过程中产生的降解物质E.在制剂的制备和贮藏过程中产生的杂质
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自然界中存在较广泛且在多种药物生产和贮藏过程中容易引入的杂质是A.药物纯度B.特殊杂质C.杂质限量D.一般杂质E.信号杂质
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光纤中的主要杂质有SiO2。
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简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
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简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
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第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。A、晶粒边界杂质浓度增高B、晶粒边界杂质浓度降低C、晶粒内部杂质浓度增高D、晶粒内部杂质浓度降低
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在氧化精炼过程中杂质反应是放热反应，随着温度的升高，铜中残留杂质的浓度增大。
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氧化精炼过程中，杂质除去的难易程度与很多因素有关，主要因素有（）。A、杂质在铜中的浓度和杂质元素对氧的亲和力B、杂质氧化后所产生的氧化物在铜中的溶解度C、杂质及其氧化物的挥发性，杂质氧化物的造渣性D、杂质及其氧化物与铜液的比重差
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铝的质量由（）的杂质含量来评定。A、Si；Fi；CaB、Si；Fe；CuC、Si；Fe；SD、Si；Fe；Mg
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杂质吸收是光纤玻璃材料中含有不需要的杂质离子在光波激励下由（）而产生的损耗。红外吸收是（）引起的光能吸收。
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晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）A、掺入杂质的浓度B、材料C、温度
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半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A对B错
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填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
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问答题列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
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