硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定
若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为()A、0.3B、0.7C、0D、10
在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V
二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
发光二极管的导通压降为()A、0.5~0.7VB、1V左右C、1.8~2.5V
关于二极管的说法正确的是()A、二极管具有单向导通的特性B、二极管在交流正半周时导通C、二极管在交流负半周时截止D、二极管在直流时导通
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。
晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。A、0.3V;B、0.7V;C、1V
锗二极管的正向导通电压为()。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右
单选题若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为()A0.3B0.7C0D10
多选题晶体管的PN结的正向压降为()。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A对B错