在被搅拌的熔体中，从加入示踪剂到它在熔体中均匀分布所需时间称为()。
微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小，当势垒为零时，微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对，错)。
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层
金属材料热处理时，奥氏体形成第二阶段称为（）。A、珠光体成核B、奥氏体晶核长大C、奥氏体分成均匀化D、亚共体钢成核
在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒＝均匀成核势垒D、视具体情况而定，以上三种均可能。
从微观讲，在应力超过屈服应力后，应力已足以克服链段运动所需克服的势垒，链段开始运动，甚至发生分子链之间相互滑移，即流动，此时材料发生了屈服（）
液-固相变时，非均匀成核位垒与接触角θ有关，当θ为（）时，非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。
均匀成核时，临界成核位垒ΔGk=（），其值相当于（）具有临界半径r的粒子数nk/N=（）。
下列RNA中，参与形成核糖体的是（）。A、hnRNAB、mRNAC、snRNAD、tRNA
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
在核糖体上形成肽链所需的能量，由水解GTP来提供。
在玻璃熔化中澄清、均化、冷却温度根据熔体在各阶段所需粘度确定。
单选题根据量子力学，当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时，下列哪种情况会发生？（）A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中
填空题从熔体中析晶的过程分二步完成，首先是（），然后就是（）过程。均匀成核的成核速率由（）因子和（）因子所决定的。
判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A对B错
单选题下列RNA中，参与形成核糖体的是（）。AhnRNABmRNACsnRNADtRNA
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
单选题晶核的成核位垒越低，析晶过程越容易进行，按析晶过程由易到难的顺序排列，下列正确的是（）A均匀成核非均匀成核润湿的非均匀成核B非均匀成核润湿的非均匀成核均匀成核C润湿的非均匀成核非均匀成核均匀成核D润湿的非均匀成核均匀成核非均匀成核
判断题在玻璃熔化中澄清、均化、冷却温度根据熔体在各阶段所需粘度确定。A对B错
填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关，当势垒加宽或变高时，势垒贯穿概率变小。A对B错
填空题均匀成核时，临界成核位垒ΔGk=（），其值相当于（）具有临界半径r的粒子数nk/N=（）。
问答题试述熔体粘度对玻璃形成的影响？在硅酸盐熔体中，分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化？为什么？
填空题液-固相变时，非均匀成核位垒与接触角θ有关，当θ为（）时，非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。
单选题在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。A非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C非均匀成核势垒＝均匀成核势垒D视具体情况而定，以上三种均可能。