目前，随着集成电路的发展趋势，其特征尺寸已由深亚微米0.180.25um)进入到了纳米量级（35~50nm, 16nm)，甚至10nm以下。

目前，随着集成电路的发展趋势，其特征尺寸已由深亚微米0.180.25um)进入到了纳米量级（35~50nm, 16nm)，甚至10nm以下。

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在《外商投资产业指导目录》(2017年修订)中,不属于鼓励外商投资的产业为()。 A.TFT-LCD、PDP、OLED等平板显示屏B.6代及6代以下TFT-LCD玻璃基板C.线宽28纳米及以下大规模数字集成电路制造D.0.11微米及以下模拟、数模集成电路制造
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目前光纤通信使用的波长范围是在近红外区内，即波长为( )。A.8纳米—18纳米B.108纳米—180纳米C.0.8微米—1.8微米D.10微米—18微米
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纳米:一种几何尺寸的度量单位。1纳米为百万分之一的毫米，即1毫微米，也就是十亿分之一米。纳米结构通常是指尺寸在100纳米以下的微观结构。下列关于纳米正确表述的一项是（ ）A．纳米是一种长度单位B．十万纳米等于1分米C．纳米是一种非常先进的技术，现已被广泛应用于生产生活的许多领域D．纳米通常是指尺寸非常微小的结构
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扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片最大位移量在（）。A、微米数量级B、毫米数量级C、厘米数量级D、纳米数量级
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目前批量产品的特征尺寸已经降低到45纳米，在一块中等尺寸的芯片上可集成数十亿个晶体管。
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细菌的外形尺寸在（）范围内。A、皮米级B、纳米级C、微米级D、毫米级
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超精密加工包括了所有能使零件成形、位置和尺寸精度到微米和亚微米范围的机械加工方法。
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集成电路产品的发展趋势是（）A、集成度越来越高B、特征尺寸越来越小C、片上系统日益完善D、以上都是
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20世纪下半叶，科学家发现了多种新材料，其中纳米材料是指这种材料的（）尺寸在纳米量级。
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线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标，目前芯片制造的主流技术中线宽为（）。A、几个微米B、几个纳米C、50纳米左右D、100纳米左右
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谱带半宽度：紫外区-可见区10nm以下；近红外区50nm以下；远红外区0.1μm以下。
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集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。
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以下单位最小的是（）。A、厘米B、毫米C、微米D、纳米
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单选题细菌的外形尺寸在（）范围内。A皮米级B纳米级C微米级D毫米级
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单选题线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标，目前芯片制造的主流技术中线宽为（）。A几个微米B几个纳米C50纳米左右D100纳米左右
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填空题集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。
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问答题在微米或纳米量级上观察样品的表面形貌可以用什么方法？
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问答题亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？
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填空题Al栅CMOS的极限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工艺
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填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
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填空题20世纪下半叶，科学家发现了多种新材料，其中纳米材料是指这种材料的（）尺寸在纳米量级。
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问答题目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016年能实现量产的特征尺寸是多少？
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多选题集成电路进入纳米尺寸时代后，将面临以下主要挑战：（）。A漏电流增大导致总功耗增加B栅极氧化膜厚度接近物理极限C电路规模增大导致动态功耗增加D配线延迟不能相应降低从而影响性能
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填空题机械制造装备的精密化成为普遍的发展趋势，从微米级发展到亚微米级，乃至（）。
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填空题当小颗粒尺寸进入纳米量级时，其本身和由它构成的纳米固体主要具有以下三个方面的效应：（）、表面与界面效应和量子尺寸效应。
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问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
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单选题扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片最大位移量在（）。A微米数量级B毫米数量级C厘米数量级D纳米数量级
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判断题谱带半宽度：紫外区-可见区10nm以下；近红外区50nm以下；远红外区0.1μm以下。A对B错
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