晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合
以下零件需辩识极性的是（）A、电阻；跳线；二极管；晶体管B、电阻；二极管；晶体管；电容C、二极管；晶体管；电解电容D、电阻；二极管；晶体管；保险丝
双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。A、基区宽度B、外延层厚度C、表面界面状态
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
晶体管具备电流放大的内部条件是（）。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合
当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度
造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）和（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能。A、电压；电流B、电压；电阻C、电流；电阻D、电感；电阻
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
填空题每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
单选题三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）和（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能。A电压；电流B电压；电阻C电流；电阻D电感；电阻
判断题满足双极晶体管的正常工作，需要晶体管的基区非常薄，小于少子的扩散长度才可，这样使扩散远远大于复合。A对B错
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。