特殊标注位存储器SM0.4提供一个1分钟周期的时钟脉冲。

特殊标注位存储器SM0.4提供一个1分钟周期的时钟脉冲。


参考答案和解析
错误

相关考题:

S7-200PLC的特殊标志位有一些固定的功能,下列哪个特殊标志位是在PLC由STOP转为RUN时,在第一个扫描周期内是置1的。() A、SM0.1B、SM0.2C、SM0.3D、SM0.4

S7-200PLC中SM0.4可以提供周期为1分钟、占空比为50%的脉冲串。() 此题为判断题(对,错)。

在第一个扫描周期接通可用于初始化子程序的特殊存储器位是SM0.1。() 此题为判断题(对,错)。

下面是关于Pentium微处理器的存储器读写机器周期的叙述,其中错误的是A.非流水线式存储器读写机器周期至少需要包含2个时钟周期B.每一个读写机器周期在第一个时钟周期将存储器地址发送到地址总线上C.突发式存储器读写机器周期需要5个时钟周期D.若存储器读写速度较慢,突发式存储器读写机器周期可以在第一个时钟周期之后插入若干等待周期

采用八体并行低位交叉存储器,设每个体的存储容量为32K×16位,存取周期为400 ns,在下述说法中正确的是________。A.在400 ns内,存储器可向CPU提供27位二进制信息B.在100 ns内,每个体可向CPU提供27位二进制信息C.在400 ns内,存储器可向CPU提供28位二进制信息

下面说法中,错误的有()A、每条指令的执行由取指令、译码和执行等操作组成,执行一条指令所需要的时间称为指令周期。B、CPU的每一个信息输入、输出过程所需要的时间称为总线周期。C、执行指令的一系列操作都是在时钟脉冲CLK的统一控制下一步一步进行的,时钟脉冲的重复周期称为时钟周期。D、执行指令的一系列操作都是在时钟脉冲CLK的统一控制下一步一步进行的,时钟脉冲的重复周期称为总线周期。

和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

如存储器的工作频率为333MHz,数据线宽度为32位,每个周期传输1次数据,则存储器的带宽=___【23】____MB/s。若存储器总线采用串行总线,以10位为一个数据帧(包含一个字节的存储数据),则总线带宽=总线频率/___【24】____。

若某存储器存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输率是()。

设存储器容量为32字,字长64位,模块数m=4,存储周期T=200ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期τ=50ns。用交叉方式进行组织,交叉存储器的带宽是()。

设存储器容量为32位,字长64位,模块数m=8,分别用顺序方式和交叉方式进行组织。若存储周期T = 200ns,数据总线宽度为64位,总线传送周期为50ns,则顺序存储器和交叉存储器带宽各是多少?

计算机进行的每一步操作都是在统一的时钟脉冲控制下。一个节拍一个节拍来动作的,微处理器动作的最小时间单位是()。A、时钟周期B、指令周期C、总线周期D、读写周期

在第一个扫描周期接通可用于初始化子程序的特殊存储器位是()。

在第一个扫描周期接通可用于初始化子程序的特殊存储器位是SM0.1。

一个典型的存储器读/写周期由几个时钟周期所组成?

有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

提供一个周期是1秒钟,占空比是50%的特殊存储器位是SM0.4。

PLC运行时总是ON的特殊存储器位是()。

在PLC运行的第一个扫描周期为ON的特殊存储器位是()。

一个N位逐次逼近型ADC完成一次转换要进行N次比较,需要N+2个时钟脉冲。

时序逻辑电路分为两类:()和()。其中()有一个统一的时钟脉冲源,存储电路里所有()的状态变化,都在同一个时钟脉冲CP作用下同时发生;而()没有统一的时钟脉冲。

DDR内存在一个时钟脉冲周期内,传输()次数据

四位并行输入寄存器输入一个新的四位数据时需要()个CP时钟脉冲信号。A、0B、1C、2D、4

单选题四位并行输入寄存器输入一个新的四位数据时需要()个CP时钟脉冲信号。A0B1C2D4

填空题DDR内存在一个时钟脉冲周期内,传输()次数据

单选题下列有关处理器时钟脉冲信号的叙述中,错误的是(  )。A时钟脉冲信号由机器脉冲源发出的脉冲信号经整形和分频后形成B时钟脉冲信号的宽度称为时钟周期,时钟周期的倒数为机器主频C时钟周期以相邻状态单元间组合逻辑电路的最大延迟为基准确定D处理器总是在每来一个时钟脉冲信号时就开始执行一条新的指令

问答题有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

判断题提供一个周期是1秒钟,占空比是50%的特殊存储器位是SM0.4。A对B错