片式晶体管的最大功率为()。A.2wB.1wC.8wD.4w
下列元件的插装顺序是()。 A、晶体管→小功率电阻→短接线B、小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C、晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D、短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
3AD6型硅低频大功率晶体管可用于作为逆变器中功率晶体管。
3AX系列三极管为（）晶体管。A、低频小功率B、低频大功率C、高频小功率D、高频大功率
功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
下列元件的插装顺序是（）。A、晶体管→小功率电阻→短接线→变压器B、小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C、晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D、短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
一最大输出功率为10W的互补对称功放电路，其功放管至少应选耗散功率Pcm为2W的晶体管。
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
功率放大电路的转换效率是指（）A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
功率放大电路的转换效率为（）。A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的直流功率之比D、偏置电路所消耗的功率与电源提供的直流功率之比
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
填空题大功率晶体管简称（），通常指耗散功率（）以上的晶体管。
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
问答题功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A加快功率晶体管的开通B延缓功率晶体管的关断C加深功率晶体管的饱和深度D保护器件
单选题设功率放大电路的输出功率为P，电源供给该电路的功率为P，功率晶体管消耗的功率为Pr，则该放大电路的效率等于（）。AP／PTBP／PCPT／PDP／P
单选题在图像、伴音等放大电路中晶体管可选用（）。A高频晶体管B低频晶体管C中频晶体管D大功率晶体管
单选题下列元件的插装顺序是（）。A晶体管→小功率电阻→短接线→变压器B小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D短接线→小功率电阻→晶体管→变压器