功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？

高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用()。 A.功率场效应晶体管B.绝缘栅双极晶体管C.电力晶体管

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下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管

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高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用（）。A、快速恢复二极管理体制B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管

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下列（）触发方式不属于可控硅触发电路。A、大功率二极管触发B、磁放大器触发C、单结晶体管触发D、正弦波同步触发

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3AD6型硅低频大功率晶体管可用于作为逆变器中功率晶体管。

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下述电力电子器件中，不能用控制信号控制其导通和关断的是（）A、功率二极管B、功率晶体管C、IGBTD、门极关断晶闸管

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下列不是高性能的高压变频器调速装置的主电路开关器件采用的是（）。A、功率场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、三极管

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电磁炉的门控管全称为（）。A、功率三极管B、功率二极管C、功率效应管D、绝缘栅双极晶体管

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在晶体管多级放大电路中，常采用哪些偶合方式，各用在什么电路中？

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桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

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恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

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恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间

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功率放大电路的转换效率是指（）A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

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试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

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为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、抑制电路B、抗饱和电路C、吸收电路

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采用变压器耦合方式的晶体管放大电路，主要适合（）的放大。A、低频B、高频C、不需要进行阻抗变换信号D、功率

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功率放大电路的转换效率为（）。A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的直流功率之比D、偏置电路所消耗的功率与电源提供的直流功率之比

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关于二极管混频器和晶体管混频器，下面说法有误的是（）A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益

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在晶体管过压保护器中，影响延时时间的因素包括：（）A、晶体管中采用何种半导体材料；B、延时电路中电容的大小；C、基准电压电路中稳压二极管的功率大小；D、电压比较和触发电路中晶体管的放大倍数。

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晶体管触发电路输出的触发功率与单结晶体管触发电路相比（）。A、较大B、较小C、一样D、无法确定

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恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

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