场效应管靠()导电。 A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对,错)。
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,也有少数载流子
半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。一种是(),另一种是()。
当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
场效应管从结构上看可分成()和()两大类型,它们的导电过程仅仅取决于()载流子的流动。
结型场效应管的基本工作原理是()A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
N型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电;P型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电。
当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。
FET是电压控制电流器件,只依靠一种载流子导电,因而属于()器件。
对PN结施加反向电压时,参与导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
半导体中的载流子有两种导电运动,一种称为()运动,另一种称为()运动。
双极型三极管有两种载流子导电,即()和()导电,而单极型三极管只有一种载流子导电,即()导电。
场效应管漏极电流由()的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子
当二极管导通后参加导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
电力场效应管MOSEFT是()器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子
在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用()A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。
判断题场效应管是利用一种多子导电,其受温度的影响很小。A对B错
单选题场效应管参与导电的载流子是()。A电子B空穴C多数载流子D少数载流子