下面有关MOS管的说法正确的是（）A．MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源B．MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率C．MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容D．NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
下面有关MOS管的说法正确的是（）
A．MOS晶体管的电学本质：电流控制电压源
B．MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率
C．MOS管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本MOS结构电容（覆盖电容），结电容
D．NMOS传输门传输低电平有阈值损失，PMOS传输门传输高电平有阈值损失
参考答案和解析
MOS 管本征寄生电容有三个来源，分别是：栅至沟道的电容，基本 MOS 结构电容（覆盖电容），结电容
相关考题：
下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是()。 A.MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力B.MOS得分为4，表示中等程度的注意力C.MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂D.MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。
下面对于语音质量主观评定“MOS分”方法描述正确的是（）。A、MOS得分为5，表示可完全放松，不需要注意力B、MOS得分为4，表示中等程度的注意力C、MOS得分为1，表示即使努力去听，也很难听懂D、MOS得分为3，表示需要注意，但不需明显集中注意力。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
问答题简述MOS管的导电沟道是如何形成的。