8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。

8、IGBT的饱和工作原理是（）。

A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。

B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。

C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。

D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。

参考答案和解析
高于电力晶体管

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