用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取()避免少数载流子注入的影响。A.引入杂质B.改变接触C.增加表面复合D.减少表面复合

用金属探针与半导体接触以测量半导体的电阻率通过采取()避免少数载流子注入的影响。

A.引入杂质

B.改变接触

C.增加表面复合

D.减少表面复合


参考答案和解析
增加表面复合

相关考题:

P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。

发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫 发光二极管,通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是( )。A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

P型半导体中多数载流子为(),少数载流子为()。

P型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随()而(),而半导体的电阻率随()而()(少数除外)。

半导体中的多数载流子是由()形成的,少数载流子是由()产生的。

N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。

化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有()。A、多数载流子移动度uB、电阻率ρC、少数载流子寿命τD、符合效果

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。

半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入,与多数载流子复合发光。A对B错

多选题化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有()。A多数载流子移动度uB电阻率ρC少数载流子寿命τD符合效果

填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A越高B不确定C越低D不变

填空题半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。

填空题N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。