离子晶体中，正、负离子配位数比不同的最主要原因是（）。A．正、负离子半径B．正、负离子的电荷C．正、负离子的电子构型D．晶格能

离子晶体中，正、负离子配位数比不同的最主要原因是（）。

A．正、负离子半径

B．正、负离子的电荷

C．正、负离子的电子构型

D．晶格能

参考答案和解析
正、负离子半径

相关考题：

下列关于配合物的说法中,错误的是() A、中心离(原)子与配体以配位键结合B、配位体是具有孤对电子的负离子或分子C、配位数是中心离(原)子结合的配位体个数之和D、配离子可以存在于溶液中，也可以存在于晶体中
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溶液是电中性的，正、负离子所带电量相等，所以正、负离子的迁移数也相等。()
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在FID的火焰中,有机物被电离成为()。 A、正、负离子B、正、负电子C、正离子和电子D、正、负离子和电子
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在电场作用下,电子的运动速度比正、负离子()。 A.大B.小C.相等
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在电场作用下，电子的运动速度比正、负离子高。A对B错
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在晶格结构上，按一定规则交替排列着正离子和负离子，正负离子之间靠静电引力互相结合，这种晶体叫（）。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体
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在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子，离子之间以离子键结合。
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因为负离子一般比较大，负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架，正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。
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在电场作用下，电子的运动速度比正、负离子高。
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NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6，ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为（），CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为（）
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硅酸盐晶体的分类原则是（）。A、正负离子的个数B、结构中的硅氧比C、化学组成D、离子半径
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在充、放电过程中蓄电池内的导电靠（）运动才实现的。A、正离子B、负离子C、正、负离子
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在晶体CuSO4.5H2O中，中心离子铜的配位数为：（）A、2B、4C、5D、6E、8
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蛋白质分子可以电离成正、负离子，仅是由于溶液的pH值不同。
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[MgY]2-的中心离子的配位数是（），螯合比是（）。
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在配离子中，中心离子的配位数等于每个中心离子所拥有的配位体的数目。
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单选题离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（），离子配位数（）。A增大，降低B减小，降低C减小，增大D增大，增大
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判断题在电场作用下，电子的运动速度比正、负离子高。A对B错
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单选题根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（）。A2B4C6D8
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单选题热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
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填空题NaCl型离子晶体负离子属于立方最紧密堆积，其配位数为（），所占空隙为正八面体，所占空隙分数为（）。
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单选题在离子晶体中，当正负离子半径比值在0.732～1.0的范围内时，形成（）A简单立方配位B面心立方配位C简单立方或面心立方配位
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单选题在离子晶体中，当正负离子半径比值在0.225～0.414的范围内时，形成（）A四面体配位B八面体配位C平面三角形配位D立方体配位
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单选题在充、放电过程中蓄电池内的导电靠（）运动才实现的。A正离子B负离子C正、负离子
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单选题硅酸盐晶体的分类原则是（）。A正负离子的个数B结构中的硅氧比C化学组成D离子半径
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填空题MgO具有（）型结构，其对称型（），空间群（），属于（）晶族和（）晶系，正负离子配位数为（），单个晶胞占有正负离子的数目为（）。
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填空题CsCl型离子晶体负离子属于简单立方，其配位数为（），所占空隙为立方体，所占空隙分数为（）。
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单选题下列因素对离子晶体晶格能产生影响最大的是（　　）。A正、负离子的半径比B正、负离子所带的电荷C晶体类型D正、负离子的配位数
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