单选题离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(),离子配位数()。A增大,降低B减小,降低C减小,增大D增大,增大

单选题
离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(),离子配位数()。
A

增大,降低

B

减小,降低

C

减小,增大

D

增大,增大


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在配离子中,中心离子的配位数等于每个中心离子所拥有的配体的数目。()

下列化合物中,正负离子间附加极化作用最强的是:() A、AgFB、AgClC、AgBrD、AgI

在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子,离子之间以离子键结合。

蔽效应起着()A、对核电荷的增强作用B、对核电荷的抵消作用C、正负离子间的吸引作用D、正负离子间电子层的排斥作用

下列各种说法中哪个不正确?()A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

Sn2+离子的不同卤化物离子性强弱不同:SnCl2SnI2,原因是()A、阳离子有较强的氧化性,阴离子有较强的还原性B、阳离子极化力相同,阴离子变形性越大,化合物共价成分越多C、18+2电子构型的离子有较强的极化能力,化合物共价成分高D、阳离子半径太小,与阴离子化合的最大配位数不能满足电中性的要求

离子的极化力是某种离子使异号离子被极化而变形的能力,极化力与离子电荷,(),以及()等因素有关

关于离子极化下列说法不正确的是()A、离子正电荷越大,半径越小,极化作用越强;B、离子极化作用增强,键的共价性增强C、离子极化的结果使正负离子电荷重心重合D、复杂阴离子中心离子氧化数越高,变形性越小

NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6,ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为(),CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为()

由于宇宙射线、放射线等的作用,使空气中的气体分子失去外层电子而形成()A、轻离子B、重离子C、正离子D、阴离子E、负氧离子

铝件硫酸阳极化时,氧化膜表面出现黑色斑点,通常是由于溶液中()过多而引起。A、铝离子B、铜离子C、硝酸根离子D、硫酸根离子

一般认为离子选择性电极膜电位的产生()A、由于溶液中的离子在膜电极上获得电子;B、由于溶液中的离子在膜附近存在浓度梯度;C、由于溶液中的离子在膜电极上失去电子;D、由于溶液中的离子与膜上离子间的交换作用。

在配离子中,中心离子的配位数等于每个中心离子所拥有的配位体的数目。

关于麻醉中的镁离子,叙述正确的有()。A、镁离子可延长去极化肌松药的作用时间B、镁离子不影响非去极化肌松药的作用时间C、镁离子降低运动神经末梢游离乙酰胆碱含量D、镁离子使终板对乙酰胆碱更敏感E、镁离子可延长非去极化肌松药的作用时间

氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

下列说法不正确的是()。A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

[Zn(en)2]2+中,中心离子为,中心离子的配位数为()。

填空题离子晶体的()会引起离子晶体的极化。

单选题离子晶体MX在表面力作用下,极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置,易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动,从而形成表面(),这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。A收缩B弛豫C双电层DB+C

单选题根据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价阴离子的配位数为()。A2B4C6D8

单选题一般认为离子选择性电极膜电位的产生()A由于溶液中的离子在膜电极上获得电子;B由于溶液中的离子在膜附近存在浓度梯度;C由于溶液中的离子在膜电极上失去电子;D由于溶液中的离子与膜上离子间的交换作用。

单选题下列各种说法中哪个不正确?()A离子晶体在熔融时能导电B离子晶体的水溶液能导电C离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大D离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大

单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.732~1.0的范围内时,形成()A简单立方配位B面心立方配位C简单立方或面心立方配位

填空题MgO具有()型结构,其对称型(),空间群(),属于()晶族和()晶系,正负离子配位数为(),单个晶胞占有正负离子的数目为()。

填空题CsCl型离子晶体负离子属于简单立方,其配位数为(),所占空隙为立方体,所占空隙分数为()。

单选题下列因素对离子晶体晶格能产生影响最大的是(  )。A正、负离子的半径比B正、负离子所带的电荷C晶体类型D正、负离子的配位数