在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
单选题在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A0.1～0.2V／0.3VB0.2～0.3V／0.7VC0.3～0.5V／0.7VD0.5V／0.7V
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
单选题在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。A0.1V／0.5VB0.2V／0.5VC0.5V／0.7VD0.5V／1.0V
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。