单选题邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A扩散B增大C不变D减小

单选题
邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。
A

扩散

B

增大

C

不变

D

减小


参考解析

解析: 暂无解析

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近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。() 此题为判断题(对,错)。

其它条件相同时,钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。

斜探头横波声场近场区分布在()介质中,近场长度随入射角的增大而()。

当波源直径一定,探头频率增加时,其近场区长度()。A、 增加B、 减少C、 不变D、 与频率无关

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

近场区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。A、缩短B、不变C、增加D、扩散

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而缩短。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,近场长度随入射角的增大而()。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。

同直径探头压电芯片的厚度越厚,其近场区()。

近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。

同直径探头中,压电芯片的厚度越薄扩散角越(),频率越()扩散角越大。

关于声场的特性,正确的是( )A、近场长度与探头半径和频率成正比B、近场横向分辨率高于远场C、近场声束呈喇叭形D、近场横断面上能量分布基本均匀E、远场声束直径小于近场

声波的指向角,在频率一定时芯片直径越大,指向角()。A、不变B、越大C、越小D、不确定

探头的近场长度主要取决于()。A、芯片厚度B、探头外形尺寸C、芯片直径和频率D、探头的种类

邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A、扩散B、增大C、不变D、减小

如果超声波的频率增加,一定直径芯片的指向角()。A、减小B、保持不变C、增大D、随波长均匀变化

超声束的指向角,在芯片直径给定时,频率愈高指向角度愈()。A、愈大B、愈小C、不变

填空题同直径探头中,压电芯片的厚度越薄扩散角越(),频率越()扩散角越大。

填空题同直径探头压电芯片的厚度越厚,其近场区()。

单选题探头的近场长度主要取决于()。A芯片厚度B探头外形尺寸C芯片直径和频率D探头的种类

判断题近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。A对B错

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

判断题近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。A对B错

单选题如果超声波的频率增加,一定直径芯片的指向角()。A减小B保持不变C增大D随波长均匀变化

单选题超声束的指向角,在芯片直径给定时,频率愈高指向角度愈()。A愈大B愈小C不变