关于声场的特性，下述正确的是A、近场区长度与探头半径和频率成正比B、近场区横向分辨率低于远场区C、近场区声束呈喇叭形D、近场区横断面上能量分布基本均匀E、远场区声束直径小于近场区
关于声场的特性，下述正确的是A.近场区长度与探头半径和频率成正比B.近场区横向分辨率低于远场区C.近场区声束呈喇叭形D.近场区横断面上能量分布基本均匀E.远场区声束直径小于近场区
其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。
在超声场中，（）声压随距离增加单调减少。A、 近场区B、 远场区C、 盲区D、 未扩散区
固体介质中的脉冲波声场的近场区，其声压极值点数量较理想声场（），且极大极小值幅度差异（）。
斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
什么是超声场的近场区和近场区长度？为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量？
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
固体介质中脉冲波声场的近场区其声压极值点数量较理想声场（），且极大极小值幅度（）。
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
直探头近场区在两种介质中的分布用N表示：N= D2/4λ－L1C1/C2。
邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。A、扩散B、增大C、不变D、减小
判断题纵波声场存在近场区，横波声场不存在近场区。A对B错
问答题简述斜探头的K值与钢中近场区长度之间的关系。
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A 增大B 不变C 减小D 都有可能
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）AK值增大时，近场区长度不变BK值增大时，近场区长度增大CK值增大时，近场区长度减小DK值与近场区长度无关
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A对B错
填空题斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
问答题什么是超声场的近场区和近场区长度？为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量？
判断题其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。A对B错