填空题半导体受光照,在结区两边产生势垒的现象称()。

填空题
半导体受光照,在结区两边产生势垒的现象称()。

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相关考题:

若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体

当半导体材料受光照射时,其导电能力会()。

在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。

光敏三极管受光照控制的pn结是()。 A.集电结或发射结B.集电结C.集电结和发射结D.发射结

在产蛋期,缩短光照则产蛋量增多,延长光照则产蛋量减少,甚至停产。()

光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应

在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称()效应;入射光强改变物质导电率的现象称()效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()效应。

半导体受光照,导电性能()。A、增强B、减弱C、不变D、不定

在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体

关于半导体二极管错误的说法是()。A、由一个半导体加上电极引线与外壳构成B、由P区引出的电极称阳极C、由N区引出的电极称阴极D、共有两个极

土壤垒结

给半导体PN结加正向电压时,电源的正极应接半导体的()区,电源的负极通过电阻接半导体的()区。

当半导体材料在某一方向承受应力时,它的()发生显著变化的现象称为半导体()。用这个原理制成的电阻称固态()。

在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()。

把一导体(或半导体)两端通以控制电流I,在垂直方向施加磁场B,在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势,这种现象称()效应,这个电动势称为()电势。外加磁场使半导体(导体)的电阻值随磁场变化的现象称()效应。

晶体三极管由()结。A、三个半导体区组成,形成两个NPB、三个半导体区组成,形成两个PNC、二个半导体区组成,形成两个NPD、二个半导体区组成,形成两个PN

晶体=极管由()结。A、三个半导体区组成,形成两个NPB、三个半导体区组成,形成两个PNC、二个半导体区组成,形成两个NPD、二个半导体区组成,形成两个PN

在半导体中,靠空穴导电的半导体称N型半导体。

在半导体中,靠()导电的半导体称P型半导体。

单选题若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称(),若以自由电子导电为主的称()。APNP型半导体/NPN型半导体BN型半导体/P型半导体CPN结/PN结DP型半导体/N型半导体

填空题半导体受光照后电流增加的现象,称为()

判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A对B错

填空题发光二极管是()载流子在PN结区注入与复合而产生发光的半导体光源。

填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称()效应;入射光强改变物质导电率的现象称()效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()效应。

单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。AP区;BN区;C结区;D中间区。