光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()
A、内光电效应
B、外光电现象
C、热电效应
D、光生伏特效应
相关考题：
若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体／NPN型半导体B.N型半导体／P型半导体C.PN结／PN结D.P型半导体／N型半导体
有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
4、关于半导体的说法，错误的是（）。A．半导体常态下不导电， 掺杂、受热、光照增强导电能力。B．本征半导体在热激发后会出现大量自由电子和空穴对，参与导电。C．杂质半导体的导电性能取决于多数载流子。D．N型半导体的多子是自由电子。
下述说法中，正确的有：A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电，所以, 本征半导体导电性能比杂质半导体好#B.n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电#C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去，大大提高了半导体导电性能#D.p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动
【单选题】当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（) 。A．光电效应B．光电导现象C．热电效应D．光生伏特现象