名词解释题沟道电导调制

名词解释题
沟道电导调制

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场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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在大注入的条件下,半导体的电阻率实际上大大下降,电导率大大增加,这种现象被称为电导调制效应。()
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功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
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功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
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结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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在调制分析中，线圈的激励频率是由什么来调制的？（）A、物体电导率；B、物体尺寸；C、物体缺陷；D、以上都是.
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调制系统中，滤波器用来（）.A、放大裂纹或其它缺陷信号；B、减少信噪比；C、消除试样电导率和磁导率少量不规则变化的影响；D、从磁导率变化中分离出电导率变化.
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依据《中国南方电网有限责任公司电力安全工作规程》，不应在带电导线、带电设备、变压器、油断路器附近以及在（）内对火炉或喷灯加油及点火。A、电缆夹层B、隧道C、沟道D、蓄电池室
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以下哪些场所不应对火炉或喷灯加油或点火（）A、带电导线附近B、带电设备附近C、变压器附近D、油断路器附近E、电缆夹层、隧道、沟道内
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孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的（）
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单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
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结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管
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造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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为什么IGBT是电导调制性场效应管？
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填空题单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
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名词解释题沟道电导
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问答题什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？
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问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
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判断题当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出会减小。A对B错
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单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管；B晶体三极管；C场效应晶体管；D双向晶闸管。
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名词解释题沟道长度调制效应
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名词解释题沟道电导调制效应
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单选题调制系统中，滤波器用来（）.A放大裂纹或其它缺陷信号；B减少信噪比；C消除试样电导率和磁导率少量不规则变化的影响；D从磁导率变化中分离出电导率变化.
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单选题在调制分析中，线圈的激励频率是由什么来调制的？（）A物体电导率；B物体尺寸；C物体缺陷；D以上都是.
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