填空题电子崩中正离子的运动速度双自由电子慢，它滞留在产生时的位置缓慢向（）移动

填空题
电子崩中正离子的运动速度双自由电子慢，它滞留在产生时的位置缓慢向（）移动

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热电偶产生的热电势中的接触电势和温差电势由( )产生。A. 温度不同、自由电子的密度不同B. 自由电子速度不同、温度不同C. 自由电子的密度不同、温度不同D. 温度不同、自由电子速度不同
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负离子的运动速度比正离子小，负电晕能产生较低的电晕电流，而且它的击穿电压也低的多。（）
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空穴移动的实质是（）A、电子的反方向移动B、自由电子的移动C、价电子的反方向移动
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电解质溶液导电是由于（）A、自由电子运动B、离子定向迁移C、水分子迁移D、离子对迁移
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半导体内的载流子是（）。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴
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金属导体内存在大量的自由电子，当自由电子在外加电压作用下出现定向移动便形成电流，因此自由电子移动方向就是金属导体电流的正方向。
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固态绝缘体内的少数自由电子或离子在电场作用下运动，逐渐形成大量有规律的电子流或离子流，这种现象称为电击穿。
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金属导体的电阻是由于导体内的（）引起的。A、自由电子运动B、原子运动C、正离子运动D、自由电子和正离子碰撞
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在气体放电过程中，电子崩中的电荷分布以（）为主。A、正离子B、负离子C、自由电子
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在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
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金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴
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半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
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导体中的电流是自由电子定向移动形成，故自由电子移动的方向就是电流的方向。
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金属导电时，在电源外部（）。A、电流方向和自由电子的移动方向都是从正极流向负极B、电流方向和自由电子的移动方向都是从负极流向正极C、电流方向从电源正极流向负极，自由电子从负极流向正极D、电流方向从电源负极流向正极，自由电子从正极流向负极
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自由电子在磁场力的作用下，产生定向的运动，就形成电流。（）
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下列对于电流的叙述，错误的是（）。A、在电场力的作用下，自由电子或离子发生的有规则的运动称为电流B、正电荷定向移动的方向称为电流的正方向C、自由电子定向移动的方向称为电流的正方向D、单位时间内通过导体某一截面积的电荷量的代数和称为电流强度
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气体电介质的电导是由游离出来的（）在电场作用下移动而造成的。A、自由电子B、正离子C、偶极子D、负离子
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我们把（）运动的方向，规定为电流的方向。A、正电荷B、负电荷C、自由电子D、自由离子
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电解质溶液是依靠（）的运动导电，金属导体依靠（）的运动导电A、分子；电子B、原子；离子C、分子；自由电子D、离子；自由电子
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以下物质定向移动能形成电流的有（）。A、自由电子B、中子C、阳离子D、Na+
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单选题在气体放电过程中，电子崩中的电荷分布以（）为主。A正离子B负离子C自由电子
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单选题半导体内的载流子是（）。A正离子B负离子C自由电子D自由电子与空穴
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单选题金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A自由电子B正、负离子C空穴载流子D自由电子和空穴
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单选题金属导体的电阻是由于导体内的（）引起的。A自由电子运动B原子运动C正离子运动D自由电子和正离子碰撞
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单选题电子崩由于电子质量轻，运动速度快，绝大多数都集中在电子崩的（）A尾部B中部C头部
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单选题船舶恒向等速运动时，陀螺罗经主轴的稳定位置偏离子午面产生（）。A速度误差B变向误差C冲击误差D纬度误差
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单选题金属能导电的原因是（）A金属晶体中金属阳离子与自由电子间的相互作用较弱B金属晶体中的自由电子在外加电场作用下可发生定向移动C金属晶体中的金属阳离子在外加电场作用下可发生定向移动D金属晶体在外加电场作用下可失去电子
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