金属导体的电阻是由于导体内的（）引起的。A、自由电子运动B、原子运动C、正离子运动D、自由电子和正离子碰撞

金属导体的电阻是由于导体内的（）引起的。

  • A、自由电子运动
  • B、原子运动
  • C、正离子运动
  • D、自由电子和正离子碰撞

相关考题：

每个碰撞阴极的正离子,使阴极金属表面平均释放出的自由电子数称为()。A、α系数B、β系数C、γ系数D、μ系数
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在气体放电过程中，碰撞电离主要是由（）与气体分子（或原子）相撞而引起的。A正离子B负离子C自由电子
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N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
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金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子
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在通常情况下，气体是不导电的，为了使其导电，必须在气体中形成足够数量的（）。 A、自由电子和正离子B、自由电子C、正离子
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在金属固体中，热传导是由（）引起的。A、分子的不规则运动B、自由电子运动C、个别分子的动量传递D、原子核振动
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在金属固体中热传导是（）引起的。A、个别分子的动量传递所致B、自由电子的运动C、分子的不规则运动D、原子核的振动
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触头开断过程中，接触面积越来越小，接触处电阻越来越大，触头表面的温度急剧升高，金属内由于热运动急剧活跃的自由电子克服金属内正离子的吸引力而从阴极表面发射出来，这种主要是由于热作用所引起的发射也称为（）
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半导体内的载流子是（）。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴
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金属导体中自由电子的不规则运动可以形成电流。
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P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子
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半导体中的载流子为（）。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴
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P型半导体的多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子
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金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴
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P型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
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在金属固体中热传导是（）引起的。A、分子的不规则运动B、自由电子运动C、个别分子的动量传递D、原子核振动
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N型半导体以（）导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子
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在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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在N型半导体中（）为多子.A、自由电子B、空穴C、正离子
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以下关于金属键的介绍正确的是（）A、形成正离子和负离子，二者靠静电作用结合起来B、原子之间以共价键方式结合C、原子贡献出价电子，变为正离子，依靠运动于其间公有化的自由电子的作用结合起来D、金刚石原子之间以金属键结合
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电解质溶液是依靠（）的运动导电，金属导体依靠（）的运动导电A、分子；电子B、原子；离子C、分子；自由电子D、离子；自由电子
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单选题半导体内的载流子是（）。A正离子B负离子C自由电子D自由电子与空穴
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单选题金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A自由电子B正、负离子C空穴载流子D自由电子和空穴
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单选题金属导体的电阻是由于导体内的（）引起的。A自由电子运动B原子运动C正离子运动D自由电子和正离子碰撞
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单选题在气体放电过程中，碰撞电离主要是由（）与气体分子（或原子）相撞而引起的。A正离子B负离子C自由电子
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填空题电子崩中正离子的运动速度双自由电子慢，它滞留在产生时的位置缓慢向（）移动
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单选题以下关于金属键的介绍正确的是（）A形成正离子和负离子，二者靠静电作用结合起来B原子之间以共价键方式结合C原子贡献出价电子，变为正离子，依靠运动于其间公有化的自由电子的作用结合起来D金刚石原子之间以金属键结合
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