单选题关于记忆细胞的错误理解是（ ）。A已接受抗原刺激B仅限于B细胞C可生存数月到数年D参加淋巴细胞再循环E再次遇到抗原时能迅速增殖和分化
单选题
关于记忆细胞的错误理解是（ ）。
A
已接受抗原刺激
B
仅限于B细胞
C
可生存数月到数年
D
参加淋巴细胞再循环
E
再次遇到抗原时能迅速增殖和分化
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解析：
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关于记忆概念的理解，错误的是A、记忆是人脑对过去经历过的事物的反映B、包括识记、保持、再认或再现三个基本环节C、按保持时间长短可分为感觉记忆、短时记忆、长时记忆D、短时记忆又称瞬时记忆，具有物理特性编码，有鲜明的形象性E、保持过程是对识记材料的存储和巩固
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关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
下列选项关于老年人记忆特点的说法，正确的是（）A、初级记忆比次级记忆好；理解记忆比机械记忆好；远事记忆比近事记忆好B、次级记忆比初级记忆好；理解记忆比机械记忆好；远事记忆比近事记忆好C、初级记忆比次级记忆好；机械记忆比理解记忆好；远事记忆比近事记忆好D、次级记忆比初级记忆好；理解记忆比机械记忆好；近事记忆比远事记忆好E、次级记忆比初级记忆好；机械记忆比理解记忆好；近事记忆比远事记忆好
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
单选题关于记忆概念的理解，错误的是（）。A记忆是人脑对过去经历过的事物的反映B包括识记、保持、再认或再现三个基本环节C按保持时间长短可分为感觉记忆、短时记忆、长时记忆D短时记忆又称瞬时记忆，具有物理特性编码，有鲜明的形象性E保持过程是对识记材料的存储和巩固
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A免疫应答过程中可产生Bm、TmB在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C记忆细胞表达CD45RAD记忆细胞表面分子表达有改变E再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生