关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）
- A、免疫应答过程中可产生Bm、Tm
- B、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞
- C、记忆细胞表达CD45RA
- D、记忆细胞表面分子表达有改变
- E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
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TD抗原引起的免疫应答的特点是( )。A、只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答B、产生免疫应答的细胞为B1细胞C、可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答D、只引起体液免疫应答，不能引起细胞免疫应答E、可形成记忆细胞
固有免疫细胞的功能特点是() A、可通过趋化募集，迅速发挥免疫效应B、通过克隆扩增、分化为效应细胞后产生免疫效应C、通过产生不同的细胞因子影响适应性免疫应答的类型D、产生免疫记忆细胞E、参与适应性免疫应答的全过程，影响适应性免疫应答的类型
TD抗原引起免疫应答的特点是( ) A、产生免疫应答的细胞是B1细胞B、只引起体液免疫应答，不能引起细胞免疫应答C、可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答D、只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E、可形成记忆细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
TD-Ag引起的免疫应答的特点是（ ）A．产生体液免疫应答的细胞为B1细胞B．只引起体液免疫应答，不引起细胞免疫应答C．可诱导T、B淋巴细胞产生免疫应答D．只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E．可诱导免疫记忆细胞形成
TD抗原引起免疫应答的特点是( )A、产生免疫应答的细胞是B细胞B、只引起体液免疫应答，不能引起细胞免疫应答C、可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答D、只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E、可形成记忆细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的( )A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB.再次应答抗体亲和力高C.再次应答产生IgG的潜伏期长D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
体液免疫的初次应答与再次应答的不同点是（）A、初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期短D、初次应答的抗原呈递细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原呈递细胞是记忆B淋巴细胞
关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
特异性免疫应答的有关概念中，“淋巴细胞初次接触特定抗原→产生应答→形成特异性记忆细胞→以后再次接触相同抗原刺激→记忆细胞迅速被激活产生强的再次应答”属于（）A、抗原（Ag）B、免疫应答C、免疫应答的特异性D、免疫应答的记忆性E、免疫应答的耐受性
TD-Ag引起的免疫应答的特点是（）。A、产生体液免疫应答的细胞为B1细胞B、只引起体液免疫应答，不引起细胞免疫应答C、可诱导T、B淋巴细胞产生免疫应答D、只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E、可诱导免疫记忆细胞形成
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是（）A、初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
单选题TD抗原引起的免疫应答的特点是（ ）。A只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答B产生免疫应答的细胞为B1细胞C可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答D只引起体液免疫应答，不能引起细胞免疫应答E可形成记忆细胞
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象BBm是再次应答的主要APCC免疫应答过程中可产生Tm和BmDTI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A免疫应答过程中可产生Bm、TmB在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C记忆细胞表达CD45RAD记忆细胞表面分子表达有改变E再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生