电源电压相同时，TTL与非门的抗干扰能力比CMOS门强。
电源电压相同时，TTL与非门的抗干扰能力比CMOS门强。
参考答案和解析
错误
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供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
单选题在TTL集成与非门中，多发射极晶体管T1的主要作用是（）。A倒相B逻辑乘C提高带负载能力D提高抗干扰能力