CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。

CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。


相关考题:

TTL逻辑门具有()的特点。 A、功耗小B、工作速度快C、功耗大D、带负载强E、抗干扰强

和CMOS门相比,TTL逻辑门具有工作()的特点。 A、速度快,功耗大B、速度快,功耗小C、速度慢,功耗小

CMOS电路广泛应用于需要电池供电的场合利用了CMOS电路的什么特点?() A.抗干扰能力强B.功耗小C.负载能力强D.工作速度快

相同逻辑功能的TTL电路和CMOS电路相比,前者功耗大。() 此题为判断题(对,错)。

CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。 A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽

CMOS电路与TTL电路相比较,( )。A、前者抗干扰能力强B、后者抗干扰能力强C、二者工作速度相差很大D、二者工作速度很接近

CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大

TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。() 此题为判断题(对,错)。

对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较,以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制,CMOS电路是电流控制B.TTL电路速度快,但是功耗大,CMOS电路速度慢,传输延迟时间长C.CMOS电路具有锁定效应D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或下拉电阻

CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。

下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路()。

CMOS电路与TTL电路相比,具备以下特点()。A、输入电阻大B、功耗低C、电源电压范围宽D、以上都具备

COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点()。A、静态功耗低,电源电压范围宽B、输入阻抗高,扇出能力强C、抗干扰能力强,逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路,功耗随频率的升高显著增大

CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽

与TTL电路相比,CMOS电路的特点是()A、噪声容限低B、电源适用范围宽C、功耗极低D、扇出能力强

下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

与TTL集成电路相比,CMOS集成电路()。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确

CMOS电路工作电压越低()。A、开关速度越慢B、功耗越小C、抗干扰能力越强D、驱动能力越强

试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点?

与CMOS电路相比,TTL电路的能耗较大

与CMOS电路相比,TTL电路的能耗()。

多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

单选题在逻辑功能上,CMOS门电路和TTL电路是相同的,当CMOS的电源电压UDD为()时,它可与低功耗的TTL电路直接兼容。A18VB5VC12VD32V

多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽

多选题与TTL电路相比,CMOS电路的特点是()A噪声容限低B电源适用范围宽C功耗极低D扇出能力强