COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点()。A、静态功耗低,电源电压范围宽B、输入阻抗高,扇出能力强C、抗干扰能力强,逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路,功耗随频率的升高显著增大

COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点()。

  • A、静态功耗低,电源电压范围宽
  • B、输入阻抗高,扇出能力强
  • C、抗干扰能力强,逻辑摆幅大
  • D、温度稳定性好
  • E、工作速度低于TTL电路,功耗随频率的升高显著增大

相关考题:

下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种

CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。 A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽

把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

集成电路74LS系列表示()。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路

按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

单极型集成电路是()。A、TTL型B、TDK型C、CMOS型

TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。

COMS集成电路与TTL集成电路相比较,有哪些优缺点?

目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和()电路。A、CMOSB、CPUC、AMPD、AFC

采用COMS集成电路4047可以构成探伤仪的()。

TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是()。A、CMOS允许悬空B、TTL不允许悬空C、TTL允许悬空D、CMOS不允许悬空

探伤仪中的同步电路是由计算机构成,采用COMS集成电路来完成。

数字集成电路从器件特性可分为TTL和MOS两大系列。()

与TTL相比,CMOS集成电路主要优点有:()、()、()、()、()等。

CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽

单极性集成电路包括()A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路

下列电路属于单极型器件集成的应是().A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路

与TTL集成电路相比,CMOS集成电路()。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确

对于场效应电子器件(场效应管、()),为防止静电击穿或静电寄存,在没有采取防静电措施时不要触摸它。A、MOS集成电路B、HTL集成电路C、TTL集成电路D、分立电路

试述CMOS集成电路与TTL集成电路相比较有哪些优缺点?

TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。

什么是COMS集成电路的扇出系数?简要说明它与工作频率的关系。

单选题集成电路74LS系列表示()。A高速肖特基TTL电路B低功耗肖特基TTL电路C低速肖特基TTL电路D高低功耗肖特基TTL电路

多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽

单选题目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和()电路。ACMOSBCPUCAMPDAFC

填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。

填空题采用COMS集成电路4047可以构成探伤仪的()。