当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()A.0mAB.无穷大C.毫安数量级D.微安数量级

当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()

A.0mA

B.无穷大

C.毫安数量级

D.微安数量级


参考答案和解析
A

相关考题:

在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。

PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。A、大于B、小于C、等于D、无法确定

当PN结外加正向电压时,耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变

PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变

当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变

给PN结加反向电压(反偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。A、大于,变宽B、小于,变窄C、大于,变窄D、小于,变宽

给PN结加正向电压(正偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。

PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(),流过PN结的电流()。

PN结未加外部电压时,扩散电流()漂流电流,加正向电压时,扩散电流()漂流电流,其耗尽层();加反向电压时,扩散电流()漂流电流,其耗尽层()。

二极管的最主要特性是()。PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。A、大于B、小于C、等于

PN结加反向电压,耗尽层将变厚。

当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将()

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

当PN结外加正向电压时,()占优,耗尽层变窄。A、中和电流B、扩散电流C、漂移电流D、正弦电流

判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A对B错

填空题PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。

填空题当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

判断题外加反向电压,PN结中的耗尽层宽度将变宽。A对B错

单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流