2、在FexO晶体中，当温度不变时，随着氧分压增加，缺陷浓度 ，晶体密度 ？A．增加，降低B．增加、增加C．降低、增加D．降低、降低

2、在FexO晶体中，当温度不变时，随着氧分压增加，缺陷浓度 ，晶体密度 ？

A．增加，降低

B．增加、增加

C．降低、增加

D．降低、降低

参考答案和解析
降低

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关于溶质饱和度，下列说法正确的是（）A、在某一温度下，饱和度是恒定的B、当溶质浓度超过饱和度时，立即析出晶体C、在相同条件下，溶质晶体的半径越小，饱和浓度越大D、饱和度随温度升高而显著增大
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VVD（on）将（）A、增大B、减小C、不变D、未知
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在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
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解释为什么晶体材料在低温时热传导率低，此时随着温度的提高热传导率升高，在一定温度下达到最大值。当温度足够高时，热传导率反而随着温度的升高而降低。当温度足够高时热导率又随着温度的提高而增加。
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