2、当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。A．可变电阻B．截止区C．恒流区（饱和区）D．不能确定

2、当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。

A．可变电阻

B．截止区

C．恒流区（饱和区）

D．不能确定

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错误

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场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
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增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
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场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
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N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
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使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
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齐纳式安全栅非安全侧电压升高到最大安全保持电压时，齐纳安全栅保护切断电流，当非安全侧电压恢复正常，该安全栅（）。A、恢复正常工作B、过段时间后恢复正常工作C、简单修复后恢复正常工作D、不能继续工作
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场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
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功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
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使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
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场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
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N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
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场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
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场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。
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JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
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NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
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单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A正极性B负极性C零D不能确定
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填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
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