在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.不等价带
抗体过剩时称为 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
氢原子中的电子在下面四个跃迁过程中：（1）从E2跃迁到E5；（2）从E5跃迁到E2；（3）从E3跃迁到E6；（4）从E6跃迁到E3．吸收光子的波长较短的跃迁过程是（），发射光子的波长较长的跃迁过程是（）．
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
原子核从激发态跃迁到较低能态或基态时，放出射线的过程称为（）。A、电离辐射B、电子穿透C、跃变D、衰变
沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
电子从价带向上跃迁前后电子动量不发生变化，发生垂直移动的称为（）。A、间接跃迁B、直接跃迁C、垂直跃迁D、光电传导效应
使电子从基态跃迁到第一激发态所产生的吸收线称为（），由于原子结构和外层电子排布不同，不同元素的原子从基态跃迁到第一激发态时所吸收的能量不同，所以吸收线又称为（）。
抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。A、辐射复合B、俄歇复合C、通过复合中心复合D、以上三种都可以
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
填空题使电子从基态跃迁到第一激发态所产生的吸收线称为（），由于原子结构和外层电子排布不同，不同元素的原子从基态跃迁到第一激发态时所吸收的能量不同，所以吸收线又称为（）。
单选题原子核从激发态跃迁到较低能态或基态时，放出射线的过程称为（）。A电离辐射B电子穿透C跃变D衰变
填空题受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A后带B前带C高带D等价带E不等价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A导带底能级B价带顶能级C费米能级D施主能级